Optimization of layer structure for InGaAs channel pseudomorphic HEMTs
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Pearson, J. L.
Holland, M. C.
Stanley, C. R.
Long, A. R.
Skuras, E.
Asenov, A.
Davies, J. H.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Crystal Growth
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Electron scattering in the pseudomorphic InGaAs channel of an InGaAs-AlGaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy has been studied at low temperatures to optimize the layer structure for use at 300 K in high-frequency transistors (p-HEMTs). (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
pseudomorphic hemt, molecular beam epitaxy, transport measurements, ingaas, alloy scattering, transport
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000080406000162
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών