Optimization of layer structure for InGaAs channel pseudomorphic HEMTs

Απλή σελίδα τεκμηρίου
dc.contributor.authorPearson, J. L.en
dc.contributor.authorHolland, M. C.en
dc.contributor.authorStanley, C. R.en
dc.contributor.authorLong, A. R.en
dc.contributor.authorSkuras, E.en
dc.contributor.authorAsenov, A.en
dc.contributor.authorDavies, J. H.en
dc.date.accessioned2015-11-24T17:37:04Z
dc.date.available2015-11-24T17:37:04Z
dc.identifier.issn0022-0248-
dc.identifier.urihttps://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/14312
dc.rightsDefault Licence-
dc.subjectpseudomorphic hemten
dc.subjectmolecular beam epitaxyen
dc.subjecttransport measurementsen
dc.subjectingaasen
dc.subjectalloy scatteringen
dc.subjecttransporten
dc.titleOptimization of layer structure for InGaAs channel pseudomorphic HEMTsen
heal.abstractElectron scattering in the pseudomorphic InGaAs channel of an InGaAs-AlGaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy has been studied at low temperatures to optimize the layer structure for use at 300 K in high-frequency transistors (p-HEMTs). (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.en
heal.accesscampus-
heal.fullTextAvailabilityTRUE-
heal.identifier.primaryDoi 10.1016/S0022-0248(98)01462-6-
heal.identifier.secondary<Go to ISI>://000080406000162-
heal.journalNameJournal of Crystal Growthen
heal.journalTypepeer reviewed-
heal.languageen-
heal.publicationDate1999-
heal.publisherElsevieren
heal.recordProviderΠανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικώνel
heal.typejournalArticle-
heal.type.elΆρθρο Περιοδικούel
heal.type.enJournal articleen

Αρχεία

Φάκελος/Πακέτο αδειών

Προβολή: 1 - 1 of 1
Μικρογραφία εικόνας
Ονομα:
license.txt
Μέγεθος:
1.74 KB
Μορφότυπο:
Item-specific license agreed upon to submission
Περιγραφή:
Κατεβάστε

Συλλογές

Άρθρα σε επιστημονικά περιοδικά ( Ανοικτά)