Characterization of magnetron sputtering deposited thin films of TiN for use as a metal electrode on TiN/SiO2/Si metal-oxide-semiconductor devices
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Evangelou, E. K.
Konofaos, N.
Aslanoglou, X. A.
Dimitriadis, C. A.
Patsalas, P.
Logothetidis, S.
Kokkoris, M.
Kossionides, E.
Vlastou, R.
Groetschel, R.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Applied Physics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Titanium nitride (TiN) thin films were deposited by dc magnetron sputtering on SiO2/n-Si substrates in order to study their use as gate electrodes in metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. Rutherford backscattering spectroscopy was used to determine the composition of the films and the results were correlated to those obtained by electrical measurements of the constructed MOS devices. Oxygen contamination of the TiN layers was observed, with percentage and spatial variations depending on the various deposition parameters such as the deposition temperature and the substrate bias. The best electrical performance was achieved for devices where the exposed TiN surface had low oxygen contamination. From these samples, the TiNx-Si barrier height was calculated to be equal to 0.52 eV. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)00324-8].
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
titanium nitride
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000165543900036
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000088000012007192000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000088000012007192000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών