Growth and Metallization in Potassium Adsorption on the Si(100) Surface
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Foulias, S.
Curson, N. J.
Cowen, M. C.
Allison, W.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Surface Science
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The growth of K on Si(100), at 150 K, has been studied in situ by helium atom scattering. The transition from a corrugated, semi-conducting surface charge density to a smooth, metallic surface is clearly visible in the data. Below one monolayer we identify a single ordered overlayer at a coverage corresponding to 0.5 ML with respect to the Si atom density. A close packed metal film develops near 1 ML and reaches maximum order at 1.25 ML. The density of the metal film is consistent with a c(4 X 2) structure with a lattice mismatch of 3.5% in the [011] direction (overlayer expansion) and 2.3% in the [0 ($) over bar 11] direction (overlayer compression) or vice versa. At higher coverages, the film appears to develop by island growth.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
alkali metals, atom-solid scattering and diffraction, elastic, growth, metallic films, silicon,, surface electronic phenomena, coverage dependence, k adsorption, metallization, si(001)-(2x1), photoemission, k/si(100)2x1, states
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1995RJ78600092
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών