Device simulation of a n-DMOS cell with trench isolation
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Kamoulakos, G.
Haniotakis, T.
Tsiatouhas, Y.
Schoellkopf, J. P.
Arapoyanni, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Microelectronics Journal
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The DMOS cell, a high-voltage transistor, implemented in low voltage standard 0.18 mum double-well CMOS technology with trench isolation is studied. The operation of the cell is investigated with the use of a device simulator while the effect of the trench to the operation of the cell is revealed. (C) 2000 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
trench isolation, drift mosfet, high voltage device, device simulation
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορικής